1、EDA：国内 EDA 企业相继上市，国产化由点向面突破
EDA 行业竞争格局高度集中，主要由 Cadence、Synopsys 和西门子 EDA（原美国 Mentor Graphics，被德国西门子收购）三家美国公司垄断，2020 年占据 78%份额。华大九天与其他几家企业，凭借部分领域的全流程工具或在局部领域的领先优势，位列全球 EDA 行业的第二梯队，合计份额约 15%。第三梯队的企业主要聚焦于某些特定领域或用途的点工具，整体规模和产品完整度与前两大梯队的企业存在明显的差距，仅占全球市场 7%份额。国内厂商市场竞争力弱，20年全球市场份额占比合计仅 1.6%，国内 EDA 软件自给率也仅 11.5%。
全球 EDA 软件竞争格局
我国 EDA 软件市场自给率偏低
2、设备：下游大幅扩产，国产化率提升可期
根据中国本土主要晶圆厂设备采购情况的统计数据，我国去胶设备已基本实现国产化，刻蚀、清洗、PVD 等设备国产化率也有 10%-20%。刻蚀设备方面，中微公司介质刻蚀已经进入台积电7nm/5nm 产线，是唯一一家进入台积电产线的国产刻蚀设备生产商；北方华创在 ICP 刻蚀领域优势显著，已量产 28nm 制程以上的刻蚀设备，同时已经突破 14nm 技术，并进入中芯国际 14nm产线验证阶段。清洗设备方面，盛美上海引领国产替代，19 年全球市占率 2%，在国内企业采购份额中占比超 20%。薄膜沉积设备方面，国内厂商错位发展，拓荆科技引领 PECVD 国产化，北方华创 PVD 优势显著，中微公司的 MOCVD 设备份额全球前三，共同受益国产化率提升。当前光刻、涂胶显影设备国产化率接近 0，上海微电子、芯源微分别为国内目前唯一供应商。整体来看，在刻蚀、薄膜沉积、清洗设备等领域，国内厂商已实现“零的突破”，步入业绩放量、加速成长阶段。涂胶显影、光刻领域也有望实现“从 0 到 1”的突破。
国内半导体设备领域国产化情况
3、材料：国产替代尚处早期，未来空间广阔
半导体制造环节所需用到的材料大概可分为以下 8 类，其中硅片在材料成本占比最大，达 33%，其次为电子特气、光掩膜版、光刻胶、抛光材料等。整体来看，我国半导体材料能力较为薄弱，硅片作为主要材料国产化率约 20%，大尺寸硅片国产化率仍处低位，ArF 光刻胶仅南大光电通过客户验证， EUV 光刻胶暂无国内厂商可量产，其他如抛光材料、湿电子化学品等国产化率也较低，国产替代空间广阔。
国内半导体材料领域国产化情况
4、设计：细分领域突破，高端芯片国产替代任重道远
在半导体设计领域，国内企业已在部分细分领域实现从成长到引领的跨越。内存接口芯片领域，澜起科技在市场占有主要份额，发明的 DDR4 全缓冲“1+9”架构被 JEDEC 国际标准采纳，DDR5 内存缓存芯片已批量出货。AIOT 芯片领域，晶晨股份领先的 12nm 制程工艺芯片已贡献约4 成营收，即将流片 6nm 芯片；恒玄科技智能蓝牙音频芯片将采用 12nm 制程工艺，性能指标可对标高通、联发科等海外一线厂商。CIS 领域，韦尔突破高端，发布 0.61um、200MP 的 CIS 产品，并领先布局 0.56um 小像素点产品，也在车载 CIS 领域处于全球第二的市场地位。
但在中高端逻辑芯片方面，我国仍对海外厂商极度依赖。CPU 领域，X86 架构（服务器、PC）CPU 由 Intel、AMD 两家厂商垄断，合计份额近 100%。国产 CPU 包括华为鲲鹏、龙芯、兆芯、海光等规模尚小，其中龙芯中科是国内极少数使用自主架构研制通用处理器的企业，早期使用MIPS 架构，后自研龙芯 LoongArch 指令系统，成为国内自主 CPU 的引领者和生态构建者。智能手机 AP 领域，中国台湾联发科、美国高通、苹果三家厂商占据行业 80%以上份额，中国大陆海思、紫光展锐亦具备供给能力，但海思受美国制裁影响，份额已由 20Q4 的 7%下滑至 21Q4 的1%。
芯片设计环节国产化率
